intel、美光提前掀nand flash 30奈米大战

被围观:发布时间:2009-09-14 12:03:10作者:龙武字号:t|t|t
intel、美光提前掀nand flash 30奈米大战,三星明年全面备战,ssd硬盘有看价格普及。


intel(intel)和美光(micron)合资成立的imflash,即将量产34奈米制程的nandflash产品,且先攻部队会瞄准32gb容量的产品,这即是是向最大竞争对手三星电子(三星electronics)下战帖;目前三星42奈米产品已开端出货,而东芝(toshiba)43奈米产品也量产,惟存储器业者流露,固然三星42奈米制程相当具竞争力,但避免被intel和美光阵营超前,2009年会将重要资源放在30奈米制程,因此2009年nandflash市场将名正言顺进进30奈米大战,本钱将进一步下滑。
nandflash市场2008年才刚掀开40奈米大战,三星和东芝在下半年好不轻易将42奈米和43奈米扶植上量产阶段,而海力士延宕将近1年的48奈米制程产品,也才进进量产没多久,全部nandflash市场又被intel和美光搅乱一池春水,2者合资的imflash公司发布量产34奈米制程,硬是将全球的nandflash制程推向30奈米之战。
imflash表现,位于美国犹他州的12寸晶圆lehi厂房,会在年底前将50%产能全部导进34奈米制程,由现有的50奈米制程直接跳到34奈米,本钱结构大幅要挟竞争对手三星和东芝。imflash进一步表现,预计34奈米制程将生产32gb容量的nandflash芯片,利用产品以固态硬碟(ssd)和快闪记忆卡为主。
下游业者表现,三星的42奈米制程产品已经步进量产阶段,但由于intel和美光的34奈米nandflash来势汹汹,因此内部已打算在2009年导进30奈米制程,且大部分的nandflash资源都将以30奈米制程的研发和量产上,以免intel阵营挟持34奈米制程上风,损害到三星霸主的地位。
2008年nandflash价格重挫,下半年遇上百年难得一见的金融风暴,更是重击花费性电子产品的市场信心,加速各家nandflash大厂转进新制程的决心,以及能进一步改良本钱结构,目前全球市占率位居第2的东芝,也打算在2009年第1季前,让大部分的56奈米制程退役,全力转进43奈米。

在海力士方面,经过将近1年的折腾,48奈米制程也终于开端量产,预计本钱可再减少30%幅度,为了对抗intel、美光和三星,海力士最新一版的41奈米制程,预计也将在2009年第1季发布。存储器业者分析,海力士的48奈米制程固然量产,但进度即是是竞争对手的50奈米世代,因此内部的重心未来会放在41奈米制程上,才干扳回一城。

惟下游业者分析,nandflash业者2008年陆续发布减产,尤其是主导8寸厂退役,但现在又大张旗鼓的进进40奈米和30奈米制程世代,无疑又发明nandflash的跌价空间,往有利的方向看,现在ssd本钱与硬碟相较还是太贵,假如nandflash价格能进一步下滑,为ssd市场展路也不是坏事。